| 型号： | IRF7755TR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRF7755TR PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 51 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1090pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |